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BD242B 사양 : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
BD242B 유사
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BD242B Datasheet 및 사양
제조사 : Micro Electronics
포장 : TO-220B
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 107 KB
응용 프로그램 : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
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