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BD241A 사양 : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
BD241A 유사
- BD241
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD241A
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD241B
- 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
- BD242
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- BD242A
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- BD242B
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BD241A Datasheet 및 사양
제조사 : Micro Electronics
포장 : TO-220B
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 106 KB
응용 프로그램 : 4mW NPN silicon epitaxial base power transistor
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