경로 :OKDatasheet > 반도체업체순위 > Knox Semiconductor Datasheet > V900E
V900E 사양 : Diode capacitance100pF; VBR1.0V min; 400mW; ultra-low leakage abrupt varactor diode
V900E Datasheet 및 사양
제조사 : Knox Semiconductor
포장 : DO-7
팡 : 0
온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 37 KB
응용 프로그램 : Diode capacitance100pF; VBR1.0V min; 400mW; ultra-low leakage abrupt varactor diode
다운로드를 V900E