경로 :OKDatasheet > 반도체업체순위 > Knox Semiconductor Datasheet > V900
V900 사양 : Diode capacitance100pF; VBR1.0V min; 400mW; ultra-low leakage abrupt varactor diode
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V900 사양 : Diode capacitance100pF; VBR1.0V min; 400mW; ultra-low leakage abrupt varactor diode
제조사 : Knox Semiconductor
포장 : DO-7
팡 : 0
온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 37 KB
응용 프로그램 : Diode capacitance100pF; VBR1.0V min; 400mW; ultra-low leakage abrupt varactor diode