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IRG4PH30KD 사양 : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 3.10V @ VGE = 15V, IC = 10A
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IRG4PH30KD 사양 : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 3.10V @ VGE = 15V, IC = 10A
제조사 : IR
포장 : TO-247AC
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 233 KB
응용 프로그램 : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 1200V, VCE(on)typ. = 3.10V @ VGE = 15V, IC = 10A