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IRG4BC10UD 사양 : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.150V @ VGE = 15V, IC = 5.0A, tf(typ) = 140ns.
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IRG4BC10UD 사양 : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.150V @ VGE = 15V, IC = 5.0A, tf(typ) = 140ns.
제조사 : IR
포장 :
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 202 KB
응용 프로그램 : Insulated gate bipolar transistor with ultrafast soft recovery diode. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 2.150V @ VGE = 15V, IC = 5.0A, tf(typ) = 140ns.