S8550LT1 사양 : High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V

S8550LT1 유사

S8550
- Transistor(PNP). Power dissipation 0.625W, Collector current -0.5A. Collector-base voltage -40V
S8550LT1
- High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V

S8550LT1 Datasheet 및 사양

제조사 : WingShing

포장 : SOT-23

팡 : 3

온도 : 분 0 °C | 맥스 0 °C

파일크기 : 93 KB

응용 프로그램 : High voltage epitaxial silicon transistor(PNP). Power dissipation 225mW, Collector current 0.5A. Collector-base voltage 40V