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2SD313 사양 : NPN silicon plastic power transistor. Designed for low frequency power amplifier. Vceo =60V, DC current gain 40 @ Ic = 2A. Pd = 30W.
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2SD313 사양 : NPN silicon plastic power transistor. Designed for low frequency power amplifier. Vceo =60V, DC current gain 40 @ Ic = 2A. Pd = 30W.
제조사 : Usha
포장 : TO-220
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 50 KB
응용 프로그램 : NPN silicon plastic power transistor. Designed for low frequency power amplifier. Vceo =60V, DC current gain 40 @ Ic = 2A. Pd = 30W.