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BULD25DR 사양 : 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
BULD25DR Datasheet 및 사양
제조사 : Transys
포장 :
팡 : 8
온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 741 KB
응용 프로그램 : 600 V, NPN silicon transistor with integrated diode
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