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IRF822FI 사양 : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
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IRF822FI 사양 : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A
제조사 : ST Microelectronics
포장 : ISOWATT220
팡 : 3
온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 185 KB
응용 프로그램 : N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 1.9A