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2SJ285 사양 : P-channel MOS silicon FET, very high-speed switching application
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2SJ285 사양 : P-channel MOS silicon FET, very high-speed switching application
제조사 : SANYO
포장 : 2091
팡 : 3
온도 : 분 0 °C | 맥스 0 °C
파일크기 : 79 KB
응용 프로그램 : P-channel MOS silicon FET, very high-speed switching application