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PJ2N5551CT 사양 : 180V; 600mA NPN epitaxial silicon transistor
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PJ2N5551CT 사양 : 180V; 600mA NPN epitaxial silicon transistor
제조사 : Promax Johnton
포장 :
팡 : 3
온도 : 분 -20 °C | 맥스 85 °C
파일크기 : 208 KB
응용 프로그램 : 180V; 600mA NPN epitaxial silicon transistor