S8201 유사

  • S8201
    • 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • S8202
    • 8 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

S8201 Datasheet 및 사양

제조사 : Polyfet RF 

포장 :  

팡 : 8 

온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C

파일크기 : 40 KB

응용 프로그램 : 4 Watt, silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

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