P122 사양 : "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

P122 유사

P122
- "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"

P122 Datasheet 및 사양

제조사 : Polyfet RF

포장 : SO

팡 : 6

온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C

파일크기 : 47 KB

응용 프로그램 : "1 Watt, patented gold metallized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor"