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LQ821 사양 : 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ821 유사
- LQ821
- 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
LQ821 Datasheet 및 사양
제조사 : Polyfet RF
포장 :
팡 : 4
온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 38 KB
응용 프로그램 : 20 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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