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L8821P 사양 : 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8821P 유사
- L8821P
- 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8821P Datasheet 및 사양
제조사 : Polyfet RF
포장 : SO-8
팡 : 8
온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 43 KB
응용 프로그램 : 5 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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