경로 :OKDatasheet > 반도체업체순위 > Polyfet RF Datasheet > L8711P
L8711P 사양 : 7 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8711P 유사
- L8711P
- 7 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L8711P Datasheet 및 사양
제조사 : Polyfet RF
포장 : SO-8
팡 : 8
온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 43 KB
응용 프로그램 : 7 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
다운로드를 L8711P