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L225 사양 : 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L225 유사
- L225
- 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
L225 Datasheet 및 사양
제조사 : Polyfet RF
포장 : SO-8
팡 : 8
온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 41 KB
응용 프로그램 : 6 Watt, silicon gate enhancement mode RF power LDMOS transistor
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