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F2013 사양 : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F2013 Datasheet 및 사양
제조사 : Polyfet RF
포장 :
팡 : 4
온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 41 KB
응용 프로그램 : 20 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
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