F1170 사양 : 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1170 유사

F1170
- 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
F1174
- 300 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1170 Datasheet 및 사양

제조사 : Polyfet RF

포장 :

팡 : 4

온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C

파일크기 : 47 KB

응용 프로그램 : 200 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor