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F1108 유사

  • F1107
    • 40 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1108
    • 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor
  • F1108
    • 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1108 Datasheet 및 사양

제조사 : Polyfet RF 

포장 :  

팡 : 4 

온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C

파일크기 : 45 KB

응용 프로그램 : 80 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor 

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