F1058 사양 : 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1058 유사

F1058
- 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor

F1058 Datasheet 및 사양

제조사 : Polyfet RF

포장 :

팡 : 4

온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C

파일크기 : 41 KB

응용 프로그램 : 30 Watt, Patented gold metalized silicon gate enhancement mode RF power VDMOS transistor