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PHX8N50E 사양 : 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
PHX8N50E Datasheet 및 사양
제조사 : Philips
포장 : SOT
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 81 KB
응용 프로그램 : 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
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