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PHW8ND50E 사양 : 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHW8ND50E 유사
- PHW80NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHW80NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
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- PHW8N50E
- PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
- PHW8N50E
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- PHW8N50E
- 500 V, power MOS transistor avalanche energy rated
- PHW8ND50E
- 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
PHW8ND50E Datasheet 및 사양
제조사 : Philips
포장 : SOT
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 80 KB
응용 프로그램 : 500 V, power MOS transistor FREDFET, avalanche energy rated
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