경로 :OKDatasheet > 반도체업체순위 > Philips Datasheet > PHD2N60E
PHD2N60E 사양 : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
PHD2N60E 유사
- PHD20N06T
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHD21N06LT
- 55 V, N-channel trenchMOS transistor logic level FET
- PHD21N06LT
- TrenchMOS transistor. Logic level FET.
- PHD23NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHD23NQ10T
- 100 V, N-channel trenchMOS transistor
- PHD23NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
- PHD24N03LT
- TrenchMOS(TM) transistor Logic level FET
- PHD27NQ10T
- N-channel TrenchMOS transistor
PHD2N60E Datasheet 및 사양
제조사 : Philips
포장 : SOT428
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 103 KB
응용 프로그램 : PowerMOS transistor. Avalanche energy rated.
다운로드를 PHD2N60E