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BUT12F 사양 : 850 V, silicon diffused power transistor
BUT12F 유사
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- Silicon diffused power transistors
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- BUT11F
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- BUT11F
- 850 V, silicon diffused power transistor
BUT12F Datasheet 및 사양
제조사 : Philips
포장 : SOT
팡 : 3
온도 : 분 0 °C | 맥스 0 °C
파일크기 : 85 KB
응용 프로그램 : 850 V, silicon diffused power transistor
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