VTP8551 사양 : Process photodiode. Isc = 70 microA(typ), Voc = 350 mV at H = 100 fc, 2850 K.

VTP8551 유사

VTP8350
- Process photodiode. Isc = 80 microA(typ), Voc = 350 mV at H = 100 fc, 2850 K.
VTP8440
- "Process photodiode. Isc = 55 microA(typ), Voc = 350 mV at H = 100 fc, 2850 K."
VTP8551
- Process photodiode. Isc = 70 microA(typ), Voc = 350 mV at H = 100 fc, 2850 K.
VTP8651
- Process photodiode. Isc = 55 microA(typ), Voc = 300 mV at H = 100 fc, 2850 K.

VTP8551 Datasheet 및 사양

제조사 : PerkinElmer

포장 : Mini DIP

팡 : 2

온도 : 분 -40 °C | 맥스 85 °C

파일크기 : 28 KB

응용 프로그램 : Process photodiode. Isc = 70 microA(typ), Voc = 350 mV at H = 100 fc, 2850 K.