VTE3324LA 사양 : GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).

VTE3324LA 유사

VTE3322LA
- GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 1.3 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).
VTE3324LA
- GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).
VTE3372LA
- "GaALAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm)."
VTE3374LA
- GaALAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 5.2 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).

VTE3324LA Datasheet 및 사양

제조사 : PerkinElmer

포장 : T-1

팡 : 2

온도 : 분 -40 °C | 맥스 100 °C

파일크기 : 24 KB

응용 프로그램 : GaAs infrared emitting diode. Irradiance(typ) 2.6 mW/cm2 (distance 10.16 mm, diameter 2.1 mm).