VTB6061CIE 사양 : Process photodiode. Sp = 120 nA/fc at H = 1.0fc, Sp = 11nA/lux at H = 1.0 lux.

VTB6061CIE 유사

VTB6061
- Process photodiode. Isc = 350 microA, Voc = 490 mV at H = 100 fc, 2850 K.
VTB6061B
- Process photodiode. Isc = 35 microA, Voc = 420 mV at H = 100 fc, 2850 K.
VTB6061CIE
- Process photodiode. Sp = 120 nA/fc at H = 1.0fc, Sp = 11nA/lux at H = 1.0 lux.
VTB6061J
- Process photodiode. Isc = 350 microA, Voc = 490 mV at H = 100 fc, 2850 K.
VTB6061UV
- Process photodiode. Isc = 350 microA, Voc = 490 mV at H = 100 fc, 2850 K.
VTB6061UVJ
- Process photodiode. Isc = 350 microA, Voc = 490 mV at H = 100 fc, 2850 K.

VTB6061CIE Datasheet 및 사양

제조사 : PerkinElmer

포장 : TO-8

팡 : 2

온도 : 분 -54 °C | 맥스 50 °C

파일크기 : 32 KB

응용 프로그램 : Process photodiode. Sp = 120 nA/fc at H = 1.0fc, Sp = 11nA/lux at H = 1.0 lux.