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NDL7408P4KC 사양 : 1310 nm InGaAsP strained MQW DC-PBH laser diode
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NDL7408P4KC 사양 : 1310 nm InGaAsP strained MQW DC-PBH laser diode
제조사 : NEC
포장 : DIP
팡 : 8
온도 : 분 -40 °C | 맥스 85 °C
파일크기 : 393 KB
응용 프로그램 : 1310 nm InGaAsP strained MQW DC-PBH laser diode