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MTP3N120E 사양 : TMOS E-FET power field effect transistor
MTP3N120E 유사
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- TMOS V power field effect transistor
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MTP3N120E Datasheet 및 사양
제조사 : Motorola
포장 :
팡 : 4
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 277 KB
응용 프로그램 : TMOS E-FET power field effect transistor
다운로드를 MTP3N120E