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MTD9N10E 사양 : TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
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MTD9N10E 사양 : TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
제조사 : Motorola
포장 : DPAK
팡 : 4
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 282 KB
응용 프로그램 : TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount