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MTD3055EL1 사양 : N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
MTD3055EL1 유사
- MTD3055EL
- N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
- MTD3055EL1
- N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
- MTD3055V
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD3055V
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MTD3055EL1 Datasheet 및 사양
제조사 : Motorola
포장 : 368-06
팡 : 3
온도 : 분 -65 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 417 KB
응용 프로그램 : N-channel enhancement-mode silicon gate, 10A, 80V
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