경로 :OKDatasheet > 반도체업체순위 > Motorola Datasheet > MTD1N80E
MTD1N80E 사양 : TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
MTD1N80E 유사
- MTD1302
- HDTMOS E-FET high dansity power FET D2PAK for surface mount
- MTD15N06V
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD15N06VL
- TMOS V power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD1N50E
- TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD1N60E
- TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD1N80E
- TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD1N80E
- TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
- MTD1P50E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
MTD1N80E Datasheet 및 사양
제조사 : Motorola
포장 : DPAK
팡 : 4
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 295 KB
응용 프로그램 : TMOS E-FET power field effect transistor D2PAK for surface mount
다운로드를 MTD1N80E