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MTB6N60E1 사양 : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
MTB6N60E1 유사
- MTB60N06HD
- HDTMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
- MTB6N60E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
- MTB6N60E1
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MTB6N60E1 Datasheet 및 사양
제조사 : Motorola
포장 : DPAK
팡 : 4
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 175 KB
응용 프로그램 : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
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