경로 :OKDatasheet > 반도체업체순위 > Motorola Datasheet > MTB4N80E1
MTB4N80E1 사양 : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
경로 :OKDatasheet > 반도체업체순위 > Motorola Datasheet > MTB4N80E1
MTB4N80E1 사양 : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
제조사 : Motorola
포장 : DPAK
팡 : 4
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 175 KB
응용 프로그램 : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount