경로 :OKDatasheet > 반도체업체순위 > Motorola Datasheet > MTB3N60E
MTB3N60E 사양 : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
MTB3N60E 유사
- MTB30N06VL
- TMOS V power field effect transistor
- MTB30P06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTB30P06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTB33N10E
- TMOS E-FET high energy power FET
- MTB36N06V
- TMOS V power field effect transistor
- MTB3N120E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
- MTB3N120E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
- MTB3N60E
- TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
MTB3N60E Datasheet 및 사양
제조사 : Motorola
포장 : DPAK
팡 : 4
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 81 KB
응용 프로그램 : TMOS E-FET high energy power FET D2PAK for surface mount
다운로드를 MTB3N60E