MGW12N120D 유사

  • MGW12N120
    • Insulated gate bipolar transistor
  • MGW12N120D
    • Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode

MGW12N120D Datasheet 및 사양

제조사 : Motorola 

포장 : TO-247AE 

팡 : 3 

온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C

파일크기 : 274 KB

응용 프로그램 : Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode 

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