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MGW12N120D 사양 : Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode
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MGW12N120D 사양 : Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode
제조사 : Motorola
포장 : TO-247AE
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 274 KB
응용 프로그램 : Insulated gate bipolar transistor with anti-parallel diode