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BC307 사양 : 300mW PNP silicon planar epitaxial transistor
BC307 유사
- BC300
- 850mW NPN silicon AF medium power amplifier
- BC301
- 850mW NPN silicon AF medium power amplifier
- BC302
- 850mW NPN silicon AF medium power amplifier
- BC303
- 850mW NPN silicon AF medium power amplifier
- BC304
- 850mW NPN silicon AF medium power amplifier
- BC307
- 300mW PNP silicon planar epitaxial transistor
- BC308
- 300mW PNP silicon planar epitaxial transistor
- BC309
- 300mW PNP silicon planar epitaxial transistor
BC307 Datasheet 및 사양
제조사 : Micro Electronics
포장 : TO-92F
팡 : 2
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 247 KB
응용 프로그램 : 300mW PNP silicon planar epitaxial transistor
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