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2N2907 사양 : 400mW PNP silicon planar epitaxial transistor
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2N2907 사양 : 400mW PNP silicon planar epitaxial transistor
제조사 : Micro Electronics
포장 : TO-18
팡 : 3
온도 : 분 0 °C | 맥스 0 °C
파일크기 : 254 KB
응용 프로그램 : 400mW PNP silicon planar epitaxial transistor