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3KP8.0 사양 : 8.00V; 5mA ;3000W peak pulse power; glass passivated junction transient voltage suppressor. For bipolar applications
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3KP8.0 사양 : 8.00V; 5mA ;3000W peak pulse power; glass passivated junction transient voltage suppressor. For bipolar applications
제조사 : MDE Semiconductor
포장 : P-600
팡 : 2
온도 : 분 -55 °C | 맥스 175 °C
파일크기 : 648 KB
응용 프로그램 : 8.00V; 5mA ;3000W peak pulse power; glass passivated junction transient voltage suppressor. For bipolar applications