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IW4023BN 사양 : Triple 3-input NAND gate, high-voltage silicon-gate CMOS
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IW4023BN 사양 : Triple 3-input NAND gate, high-voltage silicon-gate CMOS
제조사 : Integral
포장 : Plastic DIP
팡 : 14
온도 : 분 -55 °C | 맥스 125 °C
파일크기 : 118 KB
응용 프로그램 : Triple 3-input NAND gate, high-voltage silicon-gate CMOS