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LD242E7800 사양 : GaAs infared emitter
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LD242E7800 사양 : GaAs infared emitter
제조사 : Infineon
포장 : TO-18
팡 : 2
온도 : 분 -40 °C | 맥스 80 °C
파일크기 : 42 KB
응용 프로그램 : GaAs infared emitter