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IXFT6N100F 사양 : 1000V HiPerRF power MOSFET
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IXFT6N100F 사양 : 1000V HiPerRF power MOSFET
제조사 : IXYS
포장 : TO-268
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 129 KB
응용 프로그램 : 1000V HiPerRF power MOSFET