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IXFN21N100Q 사양 : 1000V trench power MOSFET Q-class
IXFN21N100Q 유사
- IXFN100N10S3
- 100V HiPerFET power MOSFET with schottky diodes
- IXFN100N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN100N25
- 250V HiPerFET power MOSFET
- IXFN106N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN120N20
- 200V HiPerFET power MOSFET
- IXFN130N30
- 300V HiPerFET power MOSFET single die MOSFET
- IXFN13N80Q
- 800V HiPerFET power MOSFET Q-class
- IXFN150N10
- 100V HiPerFET power MOSFET
IXFN21N100Q Datasheet 및 사양
제조사 : IXYS
포장 : SOT-227B
팡 : 4
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 138 KB
응용 프로그램 : 1000V trench power MOSFET Q-class
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