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IXDR30N120D1 사양 : 1200V high voltage IGBT with optional diode
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IXDR30N120D1 사양 : 1200V high voltage IGBT with optional diode
제조사 : IXYS
포장 : ISOPLUS247
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 75 KB
응용 프로그램 : 1200V high voltage IGBT with optional diode