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IXDN55N120D1 사양 : 1200V high voltage IGBT with optional diode
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IXDN55N120D1 사양 : 1200V high voltage IGBT with optional diode
제조사 : IXYS
포장 : SOT-227B
팡 : 4
온도 : 분 -40 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 79 KB
응용 프로그램 : 1200V high voltage IGBT with optional diode