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IXBT42N170 사양 : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
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IXBT42N170 사양 : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor
제조사 : IXYS
포장 : TO-268
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 54 KB
응용 프로그램 : 1700V high voltage, high gain BIMOSFET monolithic bipolar MOS transistor