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IRGBC30F 사양 : Insulated gate bipolar transistor
IRGBC30F 유사
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- Insulated gate bipolar transistor
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IRGBC30F Datasheet 및 사양
제조사 : IR
포장 :
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 150 °C
파일크기 : 270 KB
응용 프로그램 : Insulated gate bipolar transistor
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