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IRFU120N 사양 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A
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IRFU120N 사양 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A
제조사 : IR
포장 : I-PAK
팡 : 3
온도 : 분 -55 °C | 맥스 175 °C
파일크기 : 156 KB
응용 프로그램 : HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.21 Ohm, ID = 9.4A